Investigadores del ICN2 identifican un fenómeno electromecánico que se da en la nanoescala, la flexoelectricidad, como posible mecanismo que estimula y guía la respuesta celular durante el proceso de reparación de una fractura ósea. La flexoelectricidad es una propiedad presente en algunos materiales mediante la cual emiten un pequeño voltaje cuando se les aplica una presión no homogénea.
A través del efecto combinado de la flexoelectricidad y la piezoelectricidad, investigadores del ICN2 y de la UAB han descubierto que los materiales polares pueden hacerse más o menos resistentes a las hendiduras cuando se giran del revés, o cuando se les aplica un voltaje para invertir su polarización.
Investigadores del ICN2 hallan que la flexoelectricidad existe también en los semiconductores, una familia de materiales a medio camino entre los metales y los aislantes. Estos materiales, los más utilizados por la industria electrónica para transistores o células fotovoltaicas, se podrían utilizar ahora también como microgeneradores eléctricos.
Investigadores del ICN2 han creado el primer sistema microelctromecánico integrado en silicio basado en la flexoelectricidad. La investigación, publicada en Nature Nanotechnology, podría incrementar las funcionalidades de los chips actuales.
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